#1 |
数量:950 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:950 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:1913 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
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文档 |
Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 5A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 400V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1.5V @ 600mA, 3A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1mA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | - |
功率 - 最大 | 100W |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220AB |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 400 V |
集电极最大直流电流 | 5 A |
最大集电极发射极饱和电压 | 1.5@0.6A@3A V |
最大集电极基极电压 | 850 V |
工作温度 | -65 to 150 °C |
最大功率耗散 | 100000 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
集电极最大直流电流 | 5 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220 |
最低工作温度 | -65 |
最大功率耗散 | 100000 |
最大基地发射极电压 | 9 |
封装 | Rail |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 850 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
最大集电极发射极电压 | 400 |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 5A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1.5V @ 600mA, 3A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 400V |
供应商设备封装 | TO-220 |
功率 - 最大 | 100W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 50 |
集电极 - 发射极饱和电压 | 1.5 V |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 9 V |
系列 | BUT11 |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 400 V |
单位重量 | 0.063493 oz |
安装风格 | Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO | 850 V |
最低工作温度 | - 65 C |
零件号别名 | BUT11TU_NL |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
Pd - Power Dissipation | 100 W |
宽度 | 4.7 mm (Max) |
长度 | 10.1 mm (Max) |
身高 | 9.4 mm (Max) |
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